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Pozzi quantici nel grafene

Il Nist elabora il metodo "tendendo" un foglio di materiale e imprigionando gli elettroni


Pubblicato sul Canale chimica il 25 giugno 2012

Dall’istituto americano del Nist, il Natinal institute of standards and technology, giunge uno studio, pubblicato sulla rivista Science, che ha messo a punto un sistema per “intrappolare” elettroni all’interno del grafene, detto il “materiale del futuro”, per le sue numerose applicazioni. Dalla ricerca, infatti, si apre la strada a super-microscopi, a memorie per computer quantistici o a pannelli fotovoltaici più efficienti.

Per mezzo della distorsione di sottilissimi fogli di grafene, formati da un solo strato di atomi di carbonio a nido d’ape, gli studiosi americani hanno ottenuto delle “sacche” di elettroni che hanno rivelato caratteristiche e proprietà imprevedibili. Ad esempio, si sono ottenuti dei “pozzi trappola” per elettroni, o pozzi quantici, tendendo il grafene e cambiandone le proprietà elettriche.

Tali spinte o allungamenti a un normale foglio di grafene, creano anomalie nel suo reticolo che imprigionando elettroni risolve uno dei limiti del materiale: è infatti poco adatto a applicazioni di elaborazione digitale con segnali “on/off”, in quanto in esso gli elettroni percorrono il loro cammino troppo velocemente e, in caso non ci siano ostacoli, non si possono controllare.

Imprigionandoli nei “pozzi” elaborati dallo studio americano, invece, nuove prospettive si aprono in merito all’uso del grafene e alle sue future applicazioni.

C.C.

 


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